瑞士製造的第（dì）一塊氧化鉬芯片（piàn）的性能與石墨烯（xī）相當

瑞士製造的（de）第一塊氧化鉬芯片的性能與石墨烯相當

介（jiè）紹瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）的科學家聲（shēng）稱他們已經製造了第一個原型（xíng）氧化鉬芯片，該芯片的性能在實驗中很好，這證實了其在半導體芯片製造領域的突出表現。

據美國物理學家組織網（wǎng）絡12月6日報道，位於（yú）瑞士洛桑的聯邦理工學院（EPFL）總（zǒng）部聲稱已經製造了第一個原（yuán）型氧化鉬芯片。該（gāi）芯片的性能（néng）在實驗（yàn）中很好，這證實了其（qí）在半導體芯片（piàn）M領域的優異性能。這意味著商業氧化鉬芯片離現實更（gèng）近了一步。

今年年初，學（xué）校公布了（le）鉬的（de）潛在性質，引起了人們對這種新材料的關注。研究人員說，鉬可以用來製造更小、更節能的芯片。這種材料不僅（jǐn）性能優於矽，而且在某些方麵也優於（yú）石墨烯。它有望成（chéng）為下一代（dài）半導體材料的強大競（jìng）爭對手。

該原型芯片由該大學的納米電子學和結構實驗室（Lanes）開發。研（yán）究人員通過將兩到六個晶體管串聯起來獲得了原型芯片，實驗結果表明，該原型芯（xīn）片能夠進行基（jī）本的二（èr）進製邏（luó）輯運算。

納米電子學和結構實驗室主任安德拉斯·基思說，鉬是一（yī）種具有巨大潛力的新材（cái）料（liào），這一實驗已經證明了這一點。他說，鉬的（de）主要優（yōu）勢在於它有助於進一步減小晶體管的尺（chǐ）寸，從而創造出更小、性（xìng）能更好（hǎo）的電子器件（jiàn）。對於（yú）矽（guī）來說，芯片的最終厚度為2納米，因為如果厚度較小，芯片的表麵在環境中很容（róng）易氧化，影響其電性能。由（yóu）氧化鉬（mù）製成的芯片即使在三個原子的厚度下也能正常工作，並且材料的導電性穩定可控。這（zhè）個比例。

鉬的另一個優點是它的帶隙優勢，這使得（dé）用它（tā）製（zhì）成的芯片切換速度更快，能耗更低。以前的實驗表明，單層氧化（huà）鉬製成的晶體管在穩定狀態下比傳統的矽晶體管能耗低10萬倍。此（cǐ）外，其獨特的機械性能輝鉬礦也使其（qí）成為一種（zhǒng）柔性芯片材料。這種新材料將給未來的芯（xīn）片帶（dài）來更多有趣的功能，如可根據用戶麵（miàn）部曲線彎曲的（de）柔（róu）性計算機或手機。

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