石墨烯取向附生法—晶膜生長（zhǎng）

取向附生法—晶膜生長

1、取向附生法是利用生長基質原子結構“種”出石墨（mò）烯，首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕，

2、然後冷卻（què），冷卻到（dào）850℃後,之前吸收（shōu）的大量碳原（yuán）子就會浮到釕表麵，鏡片形（xíng）狀的單層的碳原子“ 孤島” 布滿了整個基質表麵，

3、最終它們可長成完整的一層石 墨烯。第一（yī）層覆蓋 8 0 ％後，第二層開始生長。

4、底層的石墨烯會與釕產生（shēng）強烈的交互作（zuò）用，而第二層後就（jiù）幾乎（hū）與釕完全分離，隻剩（shèng）下弱電耦合，得到（dào）的單層（céng）石墨烯薄片表現令人滿意。

5、但采用這種方法生產的石墨烯薄片往往厚度（dù）不均勻，且石（shí）墨烯和基質之間的（de）黏合會影 響碳層的特性。

6、另外Peter W.Sutter 等使用的基質是稀有金屬釕。

石墨烯的合成方法主要有兩種：機械方法和化學方法。

機（jī）械方法包括微機械分離法、取向附生（shēng）法和加熱SiC的方法 ； 化學方法是化（huà）學還原法與化學解理法。