把輻照過的電子燒結石墨模具加熱到輻照時的溫度以上

一個具有大約200萬電子伏能量（liàng）的（de）高速中子，可以使石（shí）墨中大（dà）約21000個碳原子從其晶格點移位，因此在電子電子燒結石墨模具晶體中，會形成許多空晶格點和層間（jiān）侵入原（yuán）子。這些空晶格點（diǎn）和侵（qīn）人原子，由於再結合等原因，消滅掉一部分之外，都是石墨晶體的缺陷，使（shǐ）石墨晶體產（chǎn）生變形。進行中子輻照（zhào）時（shí），在石墨（mò）中，由於（yú）此種變形可積蓄能量，因而（ér）使石墨的含（hán）熱（rè）量增加。

如（rú）果把輻照過的電子燒結石墨（mò）模具加熱到輻照時的（de）溫度以上，那麽儲存（cún）能的一部分就會變成熱而被釋放出去。這是由於溫（wēn）度升高，原子的熱振趨於激化，石墨品體變形有所減少（shǎo）的結果。這是以被輻照（zhào）過的石（shí）墨與未被輻照的電子電子燒結石墨模具的燃燒熱之差求算出來的。

輻照劑量與儲能的關係，以及在輻照（zhào）之後在100℃下退火時所殘（cán）留的儲能如（rú）圖所示。圖中的虛線係以兩者（zhě）之（zhī）差來表示退火所（suǒ）釋放的能量。在圖中，退火溫度T取為橫軸，把（bǎ）以10℃/min的（de）升溫速率，每經1℃所釋放的儲能(dS/d7)作為縱（zòng）軸，這樣做出（chū）的曲線叫做“儲能釋放曲線”（Wpe“qryl“ctm),圖（tú）展示了在30℃下，以4ON4/A生劑量需照（zhào）定的石墨的（de）儲能釋放曲線（xiàn）。

若將被輻照過的石墨加熱（rè）到Ti的溫度，便開始釋放儲能，所釋放的儲能相當於從未輻照石墨的比熱線之上畫有（yǒu）斜線的那部分（fèn）麵積。儲能的釋放導致溫度的上升，在（zài）斷熱條件下，溫度T，恰好升到T2，使比熱線上斜線部分的（de）麵積等於其右（yòu）側到T，溫度為止的斜線部分的麵積。根據這一原理，在運轉中的反應堆減速材料，很可能（néng）會出（chū）現很大的溫度上升現象。

在30℃附近，受過各種不同輻照的電子電子燒結石墨模具，其儲能釋放曲線如圖3-56所示（shì）。M此圖可（kě）以看出，200℃附近出現大量的能量釋放，是由於石墨層間所形成的G分子級合保的分解所造成（chéng）。

此外，在200℃左右的能量釋放，往輻照劑量小的範圍（wéi）內，是（shì）隨輻照（zhào）劑量的增大而增（zēng）關的，輻照病（bìng）量大到某一定值（zhí）時，釋放能量（liàng）達（dá）到最大值，超（chāo）過此限度，釋放能量區麵變小。據照溫度常於全溫時，隨著據照溫度的增（zēng）高，儲能逐（zhú）漸減少，而且能量釋放曲線變低。